Технология литографических процессов


Раздел 2. Основные этапы процесса фотолитографии



страница2/5
Дата11.02.2016
Размер4,58 Mb.
1   2   3   4   5
Раздел 2. Основные этапы процесса фотолитографии

    1. Этап 1. Формирование слоя фоторезиста

      1. Подготовка поверхности подложки

Подготовка поверхности подложки к нанесению ФР состоит из нескольких операций и является индивидуальной для каждого конкретного случая в зависимости от материала подложки, технологии его получения, состояния поверхности и дальнейшего назначения маски. Под подложкой в фотолитографических процессах подразумевается тот материал (активный слой), на котором формируют резистивный слой. Если фоторезистивная маска используется для локального травления, то качество передачи рисунка на активный слой зависит в основном от адгезии маски к подложке и от способности травителя проникать под слой фотомаски по границам окон. Адгезия фотослоя увеличивается с повышением смачивания поверхности подложки ФР. Проникновение травителя под слой фотомаски, приводящее к растравливанию подложки (рис. 9), в свою очередь, зависит от смачивания поверхности подложки травителем или водой. Критерием смачиваемости является краевой угол смачивания Θ поверхности твердого тела жидкостью (рис. 10). Оптимально подготовленной к ФЛ поверхностью является поверхность, которая хорошо смачивается ФР (гидрофильная поверхность) и плохо смачивается водой (гидрофобная поверхность), т. е. для которой выполняется условие: Θф → 0о, Θв→ 180°.

Рис. 10. Поверхность, смачиваемая жидкостью:

а – плохо (гидрофобная поверхность);

б – хорошо (гидрофильная поверхность)

Изменение свойств поверхности подложек происходит под действием различных загрязнений, которые подразделяются на физико-химические и механические. Физико-химические загрязнения представляют собой адсорбированные на поверхности ионные и нейтральные примеси. Для их удаления применяют в основном химические способы очистки, основанные на десорбции примесей при обработке подложек в растворах, газовых средах и плазме. В большинстве случаев оказывается достаточным обезжиривание подложек в парах органических растворителей: толуола, трихлорэтилена, четыреххлористого углерода и др. Эффективность очистки в парах растворителя обеспечивается постоянным контактом поверхности подложки с чистым растворителем и непрерывным удалением отработанного растворителя.

Для удаления с поверхности подложек механических загрязнений применяют физические способы очистки, например, гидромеханическую очистку. Для этого очищаемые пластины размещают на столах центрифуг и обрабатывают их различными щетками (капроновыми, колонковыми) и форсунками, распыляющими реагент под большим давлением.

После обезжиривания и гидромеханической очистки производят отмывку подложек – растворение в деионизованной воде остатков реагентов, минеральных солей, продуктов поверхностных реакций.

Сушку подложек производят при температуре 120±5 °С в течение 15±5 мин. Допускается производить сушку подложек в центрифуге при использовании специальных линий очистки подложек, в которых предусмотрена такая сушка.

Очистку подложек следует производить непосредственно перед нанесением на них слоев ФР. В обоснованных случаях допускается перерыв между окончанием очистки и началом нанесения ФР, который не должен превышать 6 ч при хранении подложек в специальных кассетах с защитной средой.


      1. Нанесение слоя фоторезиста

Нанесенный на предварительно подготовленную поверхность подложек слой ФР должен быть однородным по толщине, без проколов, царапин (т. е. быть сплошным) и иметь хорошую адгезию.

Наносят слой ФР в максимально обеспыленной среде. Перед употреблением ФР обязательно фильтруют в специальных фильтрах.

Существуют следующие методы нанесения ФР:


  • центрифугирование;

  • распыление (пульверизация);

  • электростатический метод;

  • окунание;

  • полив;

  • накатка.

Наиболее распространенными являются первые два метода, о которых мы подробно и расскажем, остальные затронем только с точки зрения их достоинств и недостатков.
Метод центрифугирования (рис. 11)

Центрифугирование в основном применяется для круглых подложек, т. е. пластин кремния и других полупроводников, но с помощью несложной доработки установки для данного метода нанесения ФР можно приспособить и для пластин прямоугольной формы.

На несложном оборудовании наносят слои ФР, погрешность толщины которых составляет ±5%. На подложку 2, которая устанавливается на столике 3 центрифуги и удерживается на нем вакуумным присосом, ФР подается капельницей-дозатором 1. Время между нанесением жидкого ФР и включением центрифуги должно быть минимальным (0,5-1 с), чтобы его вязкость не менялась в результате испарения растворителя.

Когда столик приводится во вращение, ФР растекается тонким слоем по поверхности подложки, а его излишки сбрасываются с нее и стекают по кожуху 4. При вращении центрифуги происходит испарение растворителя и вязкость ФР возрастает, поэтому он не полностью сбрасывается с поверхности подложки. Зависимость толщины оставшегося на поверхности жидкого слоя ФР h от частоты вращения центрифуги ω и кинематической вязкости ФР υ определяется соотношением:



h = A √ υ /ω
где А - коэффициент пропорциональности, подбираемый экспериментально.

Рис. 11. Схема установки для нанесения слоя ФР центрифугированием:

1- дозатор (капельница); 2 - подложка; 3 - столик; 4 - кожух для сбора избытка ФР; 5 - вакуумные уплотнители; 6 - электродвигатель; 7 - трубопровод к вакуумному насосу

Зависимость толщины наносимого слоя от частоты вращения столика центрифуги при различных коэффициентах вязкости ФР показана на рис. 12.

С увеличением скорости центрифугирования уменьшается не только среднее значение толщины ФР, но и ее разброс. При достижении некоторого числа оборотов толщина пленки становится постоянной, а ее разброс минимальным. Это число оборотов называется критическим. Оно соответствует равновесию центробежных и когезионных (сцепления молекул) сил при пленкообразовании.

Большой разброс (невоспроизводимость) значений толщины при числе оборотов, которое меньше критического, можно объяснить краевым утолщением слоя фоторезиста, которое с увеличением частоты вращения уменьшается и смещается к периферии подложки.

На рис. 13 изображены профили ФР-слоя, полученные на подложках при различных частотах вращения центрифуги. Из рисунка видно, что при малом числе оборотов краевое утолщение занимает значительную часть подложки, а при большом числе оно практически сводится к нулю. Поскольку максимальная разрешающая способность процесса фотолитографии достигается при минимальной толщине ФР, то целесообразно поддерживать частоту оборотов, превышающую критическое значение. Однако от толщины ФР-слоя зависит его устойчивость к агрессивным средам, которую нельзя обеспечить при минимальной толщине ФР. Таким образом, при выборе толщины слоя ФР, а следовательно, и значения критического числа оборотов, следует исходить не из минимальной, а из оптимальной толщины пленки.


Рис. 12. Зависимость толщины слоя h ФР от частоты вращения

центрифуги при различных значениях его кинематической вязкости: 1 - 12 • 10 -2 см2/с;

2 - 10 • 10 -2 см2/с;



3 - 510 -2 см2/с;

Рис. 13. Профили фоторезистивного слоя, полученные на подложках при разных скоростях вращения центрифуги:

1 - 200 мин -1; 2 - 400 мин -1;

3 - 1000 мин -1




Необходимо отметить, что время центрифугирования мало влияет на параметры слоя. Для формирования слоя обычно достаточно 20-30 с.

Выбирая толщину слоя фоторезиста, необходимо учитывать, что он должен обладать высокой разрешающей способностью (чем меньше толщина, тем выше разрешающая способность) и не терять стойкости к травителю. Кроме того, слой фоторезиста не должен иметь дефектов в виде проколов, число которых с уменьшением толщины увеличивается. Следовательно, толщина слоя ФР должна быть возможно минимальной, но достаточной для обеспечения его стойкости к травителю, плотности и малой дефектности (в виде проколов).

Наносимые центрифугированием слои ФР могут иметь дефекты в виде «комет», образующиеся в том случае, если на поверхности подложек имелись остаточные загрязнения или ФР был плохо отфильтрован. Такие дефекты выглядят как направленные от центра локальные утолщения или разрывы слоя ФР.

Достоинствами центрифугирования являются:


  • простота;

  • отработанность;

  • высокая производительность оборудования;

Недостатки этого метода:

  • трудность нанесения толстых слоев ФР (более 3 мкм);

  • наличие краевого утолщения;

  • загрязнение слоев из-за захвата пылинок из окружающей среды при вращении центрифуги (центр вращающегося диска является своеобразным центробежным насосом);

  • наличие внутренних напряжений в слое ФР;

  • необходимость тщательного контроля вязкости ФР из-за испарения растворителей и режимов работы центрифуги.


Метод распыления (пульверизация) (рис. 14)

Нанесение ФР распылением позволяет получать широкий интервал толщины слоев, причем подложка может иметь неплоскую поверхность.

Нанесение ФР производится форсункой, в которой для диспергирования струи раствора ФР при выходе из сопла используется сжатый воздух. Для получения равномерных слоев распыление выполняют движущейся форсункой на движущиеся подложки. Параметры слоя зависят от давления и температуры воздуха, расстояния от сопла форсунки до подложки, скоростей движения форсунки и подложки и от параметров ФР. Для улучшения адгезии фотослоя подложки можно нагревать. Распылением можно наносить слой на рельефные поверхности, получать слои толщиной от 0,3 до 20 мкм с точностью до 10%. Основная проблема при нанесении слоев распылением - затягивание пыли и других загрязнений струей диспергированного ФР. Распыление применяют для нанесения ФР на прямоугольные диэлектрические подложки.

Рис.14. Схема нанесения фоторезиста методом пульверизации:



  1. область разряжения,

  2. сопло, 3 – форсунка, 4 – регулирующая игла, 5 - распыляющий газ,

6 – подача фоторезиста

Достоинства пульверизации состоят в следующем:

  • возможность изменения толщины слоя ФР в широких пределах;

  • однородность слоев по толщине;

  • отсутствие проколов (пор) и разрывов пленки;

  • отсутствие механических напряжений в слое ФР (как следствие — уменьшение дефектности слоев в 3-4 раза по сравнению с полученными центрифугированием);

  • отсутствие утолщений по краям подложек;

  • возможность нанесения ФР на профилированные подложки (в малейшие углубления и отверстия);

  • возможность нанесения ФР на поверхности большой площади;

  • меньший расход ФР (по сравнению с центрифугированием );

  • высокая производительность;

  • возможность групповой обработки и автоматизации.


Недостатки метода:

  • затягивание пыли и других загрязнений струей ФР;

  • попадание остатков газа-носителя в слой ФР;

  • применение газа-носителя с малой температурой испарения;

  • сложность установки (как следствие — дороговизна).


Методы окунания и полива

Достоинства:



  • нанесение слоя ФР на подложки больших размеров;

  • возможность изменения толщины слоя ФР в широких пределах на обеих сторонах подложки.

Недостатки:

  • неоднородность слоя ФР по толщине;

  • высокая вероятность загрязнения слоя ФР.

Общей особенностью нанесения жидких ФР являются трудность получения сплошных слоев заданной толщины и влияния краевых дефектов.
Метод накатки

Накатка применяется для нанесения сухих пленочных ФР, представляющих собой трехслойную ленту.

Достоинства метода:


  • простота процесса;

  • равномерность толщины в пределах ±5%;

  • пригоден для нанесения ФР на подложки любого типа.

Недостатки:

  • большая толщина слоя (10-20 мкм);

  • низкая разрешающая способность.




      1. Сушка фоторезиста

Сушка является операцией, завершающей формирование слоя ФР, и выполняется после его нанесения. Она проходит в два этапа:

  1. низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;

  2. высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.

В процессе сушки удаляется растворитель, и в пленке ФР происходит сложный релаксационный процесс плотной упаковки молекул, уменьшающий внутренние напряжения и увеличивающий адгезию фотослоя к подложке. Растворитель при сушке необходимо удалять полностью, так как он экранирует фоточувствительные части молекул при экспонировании. Удаление растворителя проходит в две стадии:

  1. диффузия изнутри слоя к границе слой - атмосфера;

  1. испарение с поверхности.

Если испарение преобладает над диффузией, поверхностный слой ФР уплотняется раньше внутреннего слоя и препятствует удалению растворителя изнутри. При этом возникают внутренние напряжения, ослабляющие слой и приводящие к его разрывам. Сушку рекомендуют проводить в инертной атмосфере, так как на воздухе возможно окисление молекул ФР.

Основными параметрами процесса сушки являются температура и время, которые в значительной степени влияют на такие важные показатели ФР, как время его экспонирования и точность передачи размеров элементов после проявления. При низких температурах адгезия фотослоя к подложке плохая, преобладает сцепление между собственными молекулами полимера (когезия). Этим объясняется отслаивание фотослоя при проявлении, кроме этого, возможно неполное удаление растворителя. Слишком быстрая сушка может привести к возникновению механических напряжений в пленке.

Предельной температурой сушки является температура задубливания слоя, при которой происходит потеря светочувствительности ФР. Для большинства ФР предельная температура составляет 140 - 150 ˚С.

При больших температурах в ФР идет термополимеризация (при 140-200 °С) и другие процессы. Так, в слое позитивного ФР при температурах выше критических, протекают те же необратимые явления, что и при экспонировании. Качество проведения сушки влияет на все остальные операции ФЛ.



Рис. 15. Зависимость потери массы ФР (1) и его толщины (2)

от температуры сушки при длительности сушки 30 мин.


На рис. 15 показаны зависимости потери массы ФР (за счет удаления растворителя) и изменения толщины слоя от температуры сушки при постоянном времени сушки.

Большое значение при сушке имеет механизм подвода теплоты. Существуют три метода сушки:



  • конвективный,

  • инфракрасный (ИК),

  • СВЧ-поле.

Конвективная сушка выполняется в термостатах. Образующаяся на поверхности уплотненная часть слоя препятствует равномерной и полной сушке. Для равномерного испарения растворителя и снижения внутренних механических напряжений в фотослое сушку выполняют в два этапа: 15-20 мин. при 18-20 ˚С, 30-60 мин. при 90-120 °С. Недостаток метода - низкое качество ФР-слоя.

ИК-сушка отличается равномерным удалением растворителя по толщине слоя резиста, поскольку источником теплоты является сама подложка. Фоторезист прозрачен для ИК-излучения, поэтому оно достигает границы раздела подложка - резист и, отразившись от подложки, сильнее нагревает нижние прилегающие к подложке слои ФР. Возникает такой температурный градиент по толщине резиста, при котором наиболее холодной частью покрытия будет поверхность, а самой горячей — нижние слои, в которых испарение растворителей почти завершено. Следовательно, «фронт сушки» перемещается от подложки к поверхности слоя ФР. Поэтому у поверхности слой преждевременно не уплотняется. Время сушки понижается до нескольких минут. ИК-сушка является основным промышленным методом, применяемым в линиях фотолитографии. Она выполняется непосредственно после нанесения ФР под источниками ИК-излучения при непрерывном продуве азотом.

При СВЧ-сушке подложки нагреваются, поглощая электромагнитную энергию СВЧ-поля. Такая сушка производится в печах мощностью 200-400 Вт при рабочей частоте 2,45 ГГц. Время сушки — несколько секунд. Достоинством метода является высокая производительность, а недостатками — сложность оборудования и необходимость тщательного экранирования рабочего объема во избежание облучения оператора, а также неравномерность сушки слоя фоторезиста на различных по электрическим характеристикам участках подложек. Поэтому СВЧ-сушке подвергают только однородные подложки.

При любом методе сушки ее режимы (время, температура) должны исключать появление структурных изменений в слое ФР. Высушенный слой необходимо экспонировать не позднее чем через 10 ч. Сушку подложек следует выполнять в тщательно очищенной от пыли среде. Контролируют качество сушки визуально или под микроскопом.

При нанесении слоя фоторезиста могут появиться различные виды брака.

• Плохая адгезия ФР к подложке вызывает при последующем травлении растравливание и искажение рисунков элементов. Причиной плохой адгезии является некачественная подготовка поверхности подложек.



  • Локальные неоднородности рельефа слоя фоторезиста, имеющие вид капелек, обусловлены попаданием пылинок на подложки или присутствием посторонних частиц в ФР.

  • Микродефекты (проколы) слоя фоторезиста объясняются теми же причинами, что и локальные неоднородности рельефа.

  • Неоднородности рельефа слоя ФР в виде радиально расходящихся длинных лучей вызываются нарушением режима центрифугирования в процессе нанесения слоя (вибрацией столика при вращении).

  • Неоднородность толщины слоя ФР на подложках и разброс ее на разных подложках являются результатами перекоса столика, уменьшения частоты его вращения и увеличения времени разгона центрифуги. Отклонение толщины слоя ФР от заданной может быть также связано с изменением вязкости ФР.




    1. Этап 2. Создание рельефной структуры фоторезиста

Данный этап состоит из следующих операций: экспонирование резиста, проявление резиста и термообработка резиста.


      1. Фотошаблон и операция совмещения

В соответствии с принципами локальности и послойности технологических обработок в процессе изготовления структур микросхем ФЛ проводится несколько раз, в зависимости от количества формируемых топологических слоев. Так, при изготовлении планарной транзисторной структуры требуется проведение до пяти ФЛ на одном кристалле. Каждая такая операция служит для создания в поверхностном слое кристалла определенных областей прибора – коллектора, базы, эмиттера, контактных площадок и металлизированных выводов. Информацию о геометрии этих областей несет инструмент, который называется фотошаблоном.



Фотошаблон (ФШ) представляет собой плоскопараллельную пластину прямоугольной формы из прозрачного материала (кварц, оптическое стекло), на поверхности которой нанесен рисунок, состоящий из прозрачных и непрозрачных для света определенной длины волны участков на основе пленочного покрытия. Этот рисунок образует топологию одного из слоев прибора и размножен (мультиплицирован) по всему рабочему полю фотошаблона (групповой фотошаблон). Для производства каждого прибора используется комплект фотошаблонов. В качестве покрытий, создающих рисунок фотошаблонов, используют тонкие пленки металлов (обычно хрома), окисных пленок (окиси хрома, окиси железа), нитрида кремния.

Начиная со второй ФЛ необходимо совмещать рисунок очередного ФШ с рисунком на подложке, полученном при формировании предыдущих технологических слоев. Следовательно, используемые комплекты фотошаблонов должны быть совмещаемыми и перед выполнением операции экспонирования проводится операция совмещения. Совмещение выполняют на той же установке, что и последующее экспонирование, путем наложения рисунков ФШ и подложки.

При выполнении первой фотолитографии, когда поверхность полупроводниковой подложки еще однородна, ФШ должен быть ориентирован относительно подложки так, чтобы модули ФШ были параллельны ее базовому срезу. При выполнении последующих операций ФЛ для совмещения используются специальные знаки совмещения, предусмотренные в рисунке каждого топологического слоя.

Принцип совмещения показан на рис. 16.


Рис. 16 . Принцип операции совмещения: 1- групповой фотошаблон; 2 – модули для грубого совмещения; 3 – базовый срез на подложке; 4 – групповая подложка; 5 – знак совмещения в модуле подложки; 6 – знак совмещения в модуле фотошаблона


Используются три метода совмещения ФШ с подложкой:

  1. - базовый (используется в основном при первой ФЛ, когда поверхность подложки еще однородна и точности совмещения слоев не требуется), при применении которого выбранный участок подложки — «базу» (сторону) устанавливают в определенном фиксированном положении; этот метод дает точность совмещения ±10 мкм;

  2. - визуальный (преобладает), при котором оператор совмещает ФШ с подложкой, наблюдая за контрольными отметками; этот метод обеспечивает точность совмещения от 0,25 мкм до 1 мкм и зависит от возможности установки;

  3. - автоматизированный (фотоэлектрический) с помощью фотоэлектронного микроскопа, обеспечивающего погрешность совмещения не более 0,03-0,3 мкм.

На сегодняшний день наибольшее применение нашли 2-й и 3-й методы, поскольку начиная со второй ФЛ, когда на подложках сформированы топологические слои, рисунок ФШ необходимо ориентировать относительно рисунка предыдущего слоя с высокой точностью.

Визуальный способ совмещения заключается в одновременном наблюдении в неактивном свете с помощью микроскопа рисунка на пластине и рисунка ФШ.

Для предотвращения царапания и стирания поверхности ФШ и фотослоя между ними устанавливают микрозазор. Максимальная величина микрозазора ограничена глубиной резкости используемого микроскопа. Например, при увеличении микроскопа 100-200х можно установить микрозазор 10-30 мкм. С увеличением требований к точности совмещения необходимы микроскопы с большим увеличением, соответственно микрозазор уменьшается. При этом для совмещения используют двухпольные микроскопы, позволяющие одновременно наблюдать два отдаленных друг от друга участка подложки.

Совмещение рисунков проходит в два этапа.

После установки микрозазора оператор, одновременно наблюдая через микроскоп рисунки подложки и ФШ, производит точное их наложение. Сначала рисунки совмещаются по меткам грубого совмещения в пределах достаточно больших перемещений подложки. Роль таких меток выполняют отсутствия одного или нескольких кадров на ФШ, которые позволяют правильно наложить при совмещении соответствующие строки и столбцы. Затем выполняется точное совмещение в пределах существенно меньших перемещений с помощью фигур совмещения с контролируемым зазором по контуру (рис. 16). Точность визуального совмещения зависит от разрешающей способности и глубины резкости микроскопа, плавности и точности перемещений и их фиксации, точности изготовления ФШ, типа знаков совмещения, некоторые из которых показаны на рис. 17 .


Рис. 17 . Знаки совмещения: а- концентрические окружности; б- концентрические квадраты; в – биссектроные знаки; г-и – их вид на пластине после второго и четвертого этапов ФЛ

Знаки совмещения с контролируемым зазором обеспечивают наиболее высокую точность совмещения при прочих одинаковых условиях. Это обусловлено тем, что при наложении меток совмещения, одинаковых по конфигурации, но отличающихся по размерам на величину δ, задача оператора заключается только в том, чтобы сохранить некоторый зазор между метками по всему контуру. При этом совмещение знаков должно быть осуществлено на двух противоположных краях подложки, что исключает разворот рисунков вокруг оси, перпендикулярной плоскости изображений (рис. 18 ).

Рис. 18 . Схема совмещения с

применением двупольного

микроскопа: 1- окуляр;

2, 4 – призмы, 3 – линза;

5 – объектив; 6 – ФШ;

7 – подложка

Автоматизированный (фотоэлектрический) способ совмещения является более объективным в отличие от визуального способа, определяемого индивидуальными способностями оператора и ручным манипулированием при перемещении подложки. После предварительного грубого совмещения с помощью оптического микроскопа производится точное совмещение с помощью фотоэлектрического микроскопа, который фиксирует разницу освещенности между метками совмещения подложки и фотошаблона и преобразует полученную информацию в команды для перемещения столика с подложкой. Для автоматической фотоэлектрической регистрации применяются знаки совмещения в виде вытравленных канавок на подложках и непрозрачных штрихов на ФШ.

Одна из основных трудностей обеспечения точного совмещения — создание механизмов плавных перемещений подложек на расстояния менее 1 мкм.

Тенденции роста степени интеграции, увеличения размеров кристалла и функциональной сложности ИС сопровождаются непрерывным возрастанием сложности топологических рисунков ФШ и значительным повышением требований к качеству их изготовления. Технология изготовления ФШ является одним из наиболее сложных процессов в микроэлектронике. Это обусловлено рядом специфических особенностей ФШ и предъявляемыми к ним требованиями, основными из которых являются:

1. Высокая разрешающая способность, которая диктуется необходимостью получения минимальных размеров элементов рисунка – от единиц до десятых долей микрона. Поэтому разрешающая способность фотошаблона должна быть порядка 1000 линий/мм.

2. Достаточно большая площадь рабочего поля, необходимая для размещения на нем большого количества элементов изображения. Рабочая площадь ФШ должна соответствовать размеру полупроводниковой подложки.

3. Высокая контрастность, которая обеспечивается большой оптической плотностью непрозрачных участков и отсутствием вуали на прозрачных участках.

4. Высокое качество оптически плотных участков. ФШ не должны иметь на непрозрачных участках царапины, проколы, пятна и т.д.

5. Плоскостность рабочей поверхности фотошаблона, которая должна быть не хуже 0,5 мкм на длине 25 мм, чтобы избежать зазоров между слоем фоторезиста и шаблоном при контактной печати.

6. Стабильность характеристик фотошаблонов и их износостойкость во времени.


      1. Каталог: data -> 2012
        2012 -> Программа дисциплины [Введите название дисциплины] для направления/ специальности [код направления подготовки и «Название направления подготовки»
        2012 -> Программа «Стратегическое и корпоративное управление»
        2012 -> Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов для направления 030300. 68 «Психология»
        2012 -> Программа дисциплины Теория и методология современной психологии для направления 030300. 68 Психология для магистерских программ
        2012 -> Программа исследований (предварительная версия) Москва, лас, январь 2012г
        2012 -> Возможные руководители: Шляго нн., Балашов А. И., Котляров И. Д., Тарасова Ю. А., Козлова Ю. А., Рання Н. А., Смирнова Е. Э., Корчагина Е. В., Чуланова Г. Ю.,, Соколова А. А. и др
        2012 -> Программа дисциплины Политическая антропология России (курс по выбору) Для направления 030200. 62 Политология
        2012 -> Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов для направления 030300. 68 «Психология»
        2012 -> Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления подготовки 030600. 62 «Журналистика»
        2012 -> Программа разработана в соответствии с: Образовательным стандартом ниу вшэ по направлению подготовки 030300. 62 "Психология"; Образовательной программой направления


        Поделитесь с Вашими друзьями:
1   2   3   4   5


База данных защищена авторским правом ©psihdocs.ru 2019
обратиться к администрации

    Главная страница