Лабораторная работа состоит из нескольких задач моделирования, поэтому выводы

Туннельный пробой
В узких p-n переходах наблюдаемый при обратных напряжениях до 6 В электрический пробой имеет туннельную природу. При этом происходит квантовомеханическое туннелирование снз через узкий барьер, который образует искаженная под действием сильного электрического поля запрещенная зона в области объемного заряда.
Диффузионная длина
В полупроводнике процесс диффузии неосновных носителей сопровождается их рекомбинацией. Поэтому существует характерная длина на которую они продвигаются в процессе диффузии не успев рекомбинировать. То есть, за пределами диффузионной длины от места инжекции неосновных носителей их концентрация снижается до равновесной.
Назначение омического контакта
Основное назначение — создание токовводов для полупроводниковых кристаллов.
Идеальный омический контакт
Рассеиваемая мощность стремится к нулю, что означает стремящееся к нулю падение напряжения на контакте при любом протекающем токе
Работа выхода
Работа по удалению электрона из объема вещества на уровень вакуума
Обогащенный слой

Слой полупроводника содержащий повышенную концентрацию основных носителей заряда
Обедненный слой
Слой полупроводника содержащий пониженную концентрацию основных носителей заряда
Диод Шотки
Контакт меалл — полупроводник обладающий выпрямляющими свойствами
Получение m-n переходов требует специальных технологических приемов подготовки поверхности полупроводника и нанесения слоя металла
Имеет незначительное падение напряжения при прямом токе.
У m-n диода Шотки отсутствует диффузионная емкость.